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您的位置：首頁(yè) / 產(chǎn)品展示 / 外觀分析設(shè)備 / 檢測(cè)儀 / Crystalline Tester CS1日本ceramic forum晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀便攜式
日本ceramic forum晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀便攜式 Crystalline Tester CS1"Crystalline Tester CS1"是非破壞性、非接觸式檢測(cè)可見光（波長(zhǎng)400～800nm）透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測(cè)設(shè)備。通過(guò)本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無(wú)法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。
產(chǎn)品型號(hào)：Crystalline Tester CS1廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2025-05-06訪 問(wèn) 量：438
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日本ceramic forum晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀便攜式 Crystalline Tester CS1 特點(diǎn)介紹
"Crystalline Tester CS1"是非破壞性、非接觸式檢測(cè)可見光（波長(zhǎng)400～800nm）透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測(cè)設(shè)備。
通過(guò)本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無(wú)法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。
日本ceramic forum晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀便攜式 Crystalline Tester CS1 規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品特長(zhǎng) 高速測(cè)量（6" 襯底 90秒）
?可以最快速度簡(jiǎn)捷方式觀察殘留應(yīng)力分布。
縱向結(jié)晶評(píng)價(jià)
?因?yàn)槭峭敢曅徒Y(jié)晶評(píng)價(jià)裝置，所以不只可以觀察襯底表面，還可以觀察包括Z軸方向的晶圓所有部位。
可取得與X-Ray Topography imaging comparison同等測(cè)試效果
?可以取得同等測(cè)試效果，實(shí)現(xiàn)高速低成本。
價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力
?在晶片測(cè)量裝置中，屬于性價(jià)比好的一款系統(tǒng)。
可測(cè)量材料 SiC單晶襯底、及SiC外延襯底
GaN單晶襯底、及GaN外延襯底
AlN單晶襯底、及AlN外延襯底
可視光可透視、有雙折射效果的結(jié)晶均可。
測(cè)試效果不佳材料 ?無(wú)可視光透視性材料：Si、GaAs等
?無(wú)雙折射效果材料：藍(lán)寶石、Ga2O3 等
